El primer almacenamiento flash UFS 4.0 de Samsung para productos móviles entrará en producción en masa este mes

Se espera que el almacenamiento UFS 4.0 de Samsung, que se anunció por primera vez en mayo de este año, entre en producción en masa este mes. Se espera que el nuevo y más rápido estándar de memoria flash se encuentre en una gran cantidad de productos y también se puede encontrar en la línea de teléfonos premium del gigante coreano para 2023.

UFS 4.0 de Samsung duplica el ancho de banda de UFS 3.1 y consume menos energía

Durante su Flash Memory Summit 2022, Samsung proporcionó algunas actualizaciones a sus diversos planes, que incluyeron el inicio de la producción en masa de almacenamiento UFS 4.0. Según el fabricante, este nuevo estándar más eficiente de chips de memoria flash se utilizará en una variedad de productos, como se destaca a continuación.

“El primer almacenamiento móvil UFS 4.0 de la industria, desarrollado por Samsung en mayo, está programado para entrar en producción en masa este mes. El nuevo UFS 4.0 será un componente crítico en los teléfonos inteligentes emblemáticos que requieren grandes cantidades de procesamiento de datos para funciones como imágenes de alta resolución y juegos móviles con muchos gráficos, y luego se usará en movilidad, VR y AR”.

Cuando escucha el término ‘UFS’, una reacción inmediata es que esta tecnología se encontrará en futuros teléfonos inteligentes. Aunque Samsung no ha mencionado explícitamente qué productos contarán con su almacenamiento UFS 4.0, es más que posible que los veamos en la serie Galaxy S23, que posiblemente se lance el próximo año. Si el Galaxy S23 no cuenta con el Exynos 2300 de Samsung, al menos pueden disfrutar de la memoria flash de próxima generación del gigante coreano.

Con la producción en masa a partir de este mes, uno supondría que la memoria flash UFS 4.0 se encontraría en la próxima gama de iPhone 14. Lamentablemente, Apple depende del almacenamiento NVMe, por lo que es poco probable que utilice la última tecnología de almacenamiento de Samsung para sus iPhones. En resumen, UFS 4.0 utiliza la memoria Gen 7 V-NAND y el controlador patentado de Samsung y puede alcanzar velocidades de lectura secuencial de hasta 4200 MB/s y velocidades de escritura secuencial de hasta 2800 MB/s.

Además, por carril, UFS 4.0 admite hasta 23,2 Gbps por carril, que es el doble de la cantidad que se puede obtener con el estándar UFS 3.1. Supongamos que el rendimiento y el aumento del ancho de banda de la memoria no fueran una prioridad. En ese caso, debe saber que el último estándar presenta una mejora de la eficiencia energética del 46 por ciento en las velocidades de lectura secuencial en comparación con la generación anterior.

El nuevo almacenamiento UFS 4.0 se puede configurar para admitir hasta 1 TB de almacenamiento, lo que significa que se enviarán más teléfonos inteligentes premium con variantes de memoria integrada más altas.

Fuente de noticias: Sala de prensa de Samsung